フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として，適切なものはどれか。
- 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように，物理的な書込み位置を選択する。
- 記憶するセルの電子の量に応じて，複数のビット情報を記録する。
- 不良のブロックを検出し，交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
- ブロック単位でデータを消去し，新しいデータを書き込む。
解答
ア
解説
- 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように，物理的な書込み位置を選択する。
適切です。
ウェアレベリングの説明です。 - 記憶するセルの電子の量に応じて，複数のビット情報を記録する。
MLCの説明です。 - 不良のブロックを検出し，交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
バッドブロック管理の説明です。 - ブロック単位でデータを消去し，新しいデータを書き込む。
フラッシュメモリの特徴です。
参考情報
分野・分類
| 分野 | テクノロジ系 |
| 大分類 | コンピュータシステム |
| 中分類 | コンピュータ構成要素 |
| 小分類 | メモリ |
出題歴
- AP 令和5年度春期 問11
