FeRAMの説明として，適切なものはどれか。
- 1ビットのメモリセルは4～6個のトランジスタで構成される。
- データ保持のためリフレッシュが必要である。
- バイト単位で書換えができず，ブロック単位で一括して書き換える。
- フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く，書換え速度も高速にできる。
解答
エ
解説
ー
- 1ビットのメモリセルは4～6個のトランジスタで構成される。
ー - データ保持のためリフレッシュが必要である。
ー - バイト単位で書換えができず，ブロック単位で一括して書き換える。
ー - フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く，書換え速度も高速にできる。
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参考情報
分野・分類
| 分野 | テクノロジ系 |
| 大分類 | コンピュータシステム |
| 中分類 | ハードウェア |
| 小分類 | ハードウェア |
出題歴
- ES 平成28年度春期 問13
