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AP 平成30年度秋期 問10

 

 相変化メモリの説明として,適切なものはどれか。

  1. 一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ
  2. 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
  3. フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
  4. リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ

解答・解説

解答

 イ

解説

 

  1. 一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ
    作成中

  2. 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
    作成中

  3. フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
    作成中

  4. リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ
    作成中

参考情報

分野・分類
分野 テクノロジ系
大分類 コンピュータシステム
中分類 コンピュータ構成要素
小分類 メモリ
出題歴
  • AP 平成30年度秋期 問10

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